ES1BL R3G
Номер детали производителя | ES1BL R3G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Упаковка | Sub SMA |
В наличии | 1830216 pcs |
Техническая спецификация | ES1AL - ES1JL |
Справочная цена (В долларах США)
1800 | 3600 | 5400 | 12600 | 45000 |
---|---|---|---|---|
$0.037 | $0.032 | $0.029 | $0.026 | $0.024 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии TSC (Taiwan Semiconductor).У нас есть кусочки 1830216 TSC (Taiwan Semiconductor) ES1BL R3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950mV @ 1A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100V |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 35ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | DO-219AB |
Другие названия | ES1BL R3GTR ES1BL R3GTR-ND ES1BLR3GTR |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 21 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 100V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
ES1BL RFG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATSC (Taiwan Semiconductor) -
ES1BL RQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MTG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BLHMQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RVG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RTG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BLH
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM3_A/H
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BL RUG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BLHMHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHR3G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHE3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BLHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation